TSM850N06CX RFG

TSM850N06CX RFG - Taiwan Semiconductor Corporation

Numéro d'article
TSM850N06CX RFG
Fabricant
Taiwan Semiconductor Corporation
Brève description
MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
TSM850N06CX RFG Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
1568995 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.10494/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour TSM850N06CX RFG

TSM850N06CX RFG Description détaillée

Numéro d'article TSM850N06CX RFG
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85 mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.5nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 529pF @ 30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.7W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur SOT-23
Paquet / cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR TSM850N06CX RFG