TSM850N06CX RFG - Taiwan Semiconductor Corporation

Artikelnummer	TSM850N06CX RFG
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	85 mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	9.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	529pF @ 30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	1.7W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	SOT-23
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
TSM850N06CX RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23	Einzelheiten
TSM8568CS RLG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N/P-CH 30V 15A/13A 8SOP	Einzelheiten
TSM8588CS RLG	Taiwan Semiconductor Corporation	COMPLEMENTARY N P-CHANNEL POWE	Einzelheiten
TSM85N10CZ C0G	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CHANNEL 100V 81A TO220	Einzelheiten