TSM3N90CI C0G

TSM3N90CI C0G - Taiwan Semiconductor Corporation

Numéro d'article
TSM3N90CI C0G
Fabricant
Taiwan Semiconductor Corporation
Brève description
MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
81107 pcs
Prix ​​de référence
USD 2.03/pcs
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TSM3N90CI C0G Description détaillée

Numéro d'article TSM3N90CI C0G
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 900V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 2.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.1 Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 748pF @ 25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 94W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur ITO-220AB
Paquet / cas TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Poids -
Pays d'origine -

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