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| Numéro d'article | TSM3N80CP ROG |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 800V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 696pF @ 25V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 94W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | TO-252, (D-Pak) |
| Paquet / cas | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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TSM3N100CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO252 | Détails |
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TSM3N80CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO251 | Détails |
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TSM3N80CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 800V 3A ITO220 | Détails |
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TSM3N80CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO252 | Détails |
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TSM3N80CZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO220 | Détails |
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TSM3N90CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 900V 2.5A TO251 | Détails |
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TSM3N90CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220 | Détails |
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TSM3N90CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 900V 2.5A TO252 | Détails |
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TSM3N90CZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220 | Détails |
