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| Numéro d'article | SFS1004GHMNG |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Standard |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 10A |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 975mV @ 5A |
| La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 200V |
| Capacitance @ Vr, F | 70pF @ 4V, 1MHz |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Package de périphérique fournisseur | TO-263AB (D²PAK) |
| Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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SFS1001G MNG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 50V 10A TO263AB | Détails |
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SFS1001GHMNG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 50V 10A TO263AB | Détails |
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SFS1002G MNG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 10A TO263AB | Détails |
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SFS1002GHMNG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 10A TO263AB | Détails |
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SFS1003G MNG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 150V 10A TO263AB | Détails |
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SFS1003GHMNG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 150V 10A TO263AB | Détails |
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SFS1004G MNG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 200V 10A TO263AB | Détails |
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SFS1004GHMNG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 200V 10A TO263AB | Détails |
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SFS1005G MNG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB | Détails |
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SFS1005GHMNG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB | Détails |
