S1B M2G - Taiwan Semiconductor Corporation

Numéro d'article	S1B M2G
État de la pièce	Active
Type de diode	Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Courant - Rectifié moyen (Io)	1A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.1V @ 1A
La vitesse	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	1.5µs
Courant - Fuite inverse @ Vr	1µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F	12pF @ 4V, 1MHz
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	DO-214AC, SMA
Package de périphérique fournisseur	DO-214AC (SMA)
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 175°C
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
S1B	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 100V 1A SMA	Détails
S1B M2G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC	Détails
S1B R3G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC	Détails
S1B-13	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 100V 1A SMA	Détails
S1B-13-F	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 100V 1A SMA	Détails
S1B-13-G	DIODES	S1B-13-G DIODES SMA New Original Stocks	Détails
S1B-E3	VISHAY	S1B-E3 VISHAY DO214A.. New Original Stocks	Détails
S1B-E3/51T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC	Détails
S1B-E3/5AT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC	Détails
S1B-E3/61T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC	Détails