S1B-E3/51T - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	S1B-E3/51T
État de la pièce	Obsolete
Type de diode	Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Courant - Rectifié moyen (Io)	1A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.1V @ 1A
La vitesse	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	1.8µs
Courant - Fuite inverse @ Vr	1µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F	-
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	DO-214AC, SMA
Package de périphérique fournisseur	DO-214AC (SMA)
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 150°C
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
S1B-13	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 100V 1A SMA	Détails
S1B-13-F	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 100V 1A SMA	Détails
S1B-13-G	DIODES	S1B-13-G DIODES SMA New Original Stocks	Détails
S1B-E3	VISHAY	S1B-E3 VISHAY DO214A.. New Original Stocks	Détails
S1B-E3/51T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC	Détails
S1B-E3/5AT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC	Détails
S1B-E3/61T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC	Détails
S1B-F	SMC Diode Solutions	SMT GLASS PASSIVATED RECTIFIER	Détails
S1B-LTP	Micro Commercial Co	DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AA	Détails
S1B-M3/5AT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 1A 100V DO-214AC	Détails