GBL10HD2G - Taiwan Semiconductor Corporation

Numéro d'article	GBL10HD2G
État de la pièce	Active
Type de diode	Single Phase
La technologie	Standard
Tension - Peak Reverse (Max)	1kV
Courant - Rectifié moyen (Io)	4A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.1V @ 4A
Courant - Fuite inverse @ Vr	5µA @ 1000V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	4-SIP, GBL
Package de périphérique fournisseur	GBL
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
GBL005	GeneSiC Semiconductor	DIODE BRIDGE 50V 4A GBL	Détails
GBL005 D2G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBL	Détails
GBL005-E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 1PH 4A 50V GBL	Détails
GBL005-E3/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 1PH 4A 50V GBL	Détails
GBL005HD2G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBL	Détails
GBL005_1	TSC	Single Phase 4.0 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers	Détails
GBL01	GeneSiC Semiconductor	DIODE BRIDGE 100V 4A GBL	Détails
GBL01 D2G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 100V 4A GBL	Détails
GBL01-E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 1PH 4A 100V GBL	Détails
GBL01-E3/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 1PH 4A 100V GBL	Détails