BAS116 RFG - Taiwan Semiconductor Corporation

Numéro d'article	BAS116 RFG
État de la pièce	Active
Type de diode	Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	75V
Courant - Rectifié moyen (Io)	200mA
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.25V @ 150mA
La vitesse	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Temps de récupération inverse (trr)	3ns
Courant - Fuite inverse @ Vr	5nA @ 75V
Capacitance @ Vr, F	2pF @ 0V, 1MHz
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package de périphérique fournisseur	SOT-23
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 150°C
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
BAS101,215	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 300V 200MA SOT23	Détails
BAS101S,215	Nexperia USA Inc.	DIODE ARRAY GP 300V 200MA SOT23	Détails
BAS11	PH	BAS11 PH DO-35 New Original Stocks	Détails
BAS116	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3	Détails
BAS116 RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23	Détails
BAS116,215	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 75V 215MA SOT23	Détails
BAS116,235	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 75V 215MA SOT23	Détails
BAS116-7	DIODES	BAS116-7 DIODES SOT-23 New Original Stocks	Détails
BAS116-7-99-F	DIODES	BAS116-7-99-F DIODES SOT23 New Original Stocks	Détails
BAS116-7-F	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3	Détails