BAS116 RFG - Taiwan Semiconductor Corporation

Artikelnummer	BAS116 RFG
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	75V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	200mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1.25V @ 150mA
Geschwindigkeit	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	3ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	5nA @ 75V
Kapazität @ Vr, F	2pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket	SOT-23
Betriebstemperatur - Kreuzung	-55°C ~ 150°C
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
BAS101,215	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 300V 200MA SOT23	Einzelheiten
BAS101S,215	Nexperia USA Inc.	DIODE ARRAY GP 300V 200MA SOT23	Einzelheiten
BAS11	PH	BAS11 PH DO-35 New Original Stocks	Einzelheiten
BAS116	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3	Einzelheiten
BAS116 RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23	Einzelheiten
BAS116,215	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 75V 215MA SOT23	Einzelheiten
BAS116,235	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 75V 215MA SOT23	Einzelheiten
BAS116-7	DIODES	BAS116-7 DIODES SOT-23 New Original Stocks	Einzelheiten
BAS116-7-99-F	DIODES	BAS116-7-99-F DIODES SOT23 New Original Stocks	Einzelheiten
BAS116-7-F	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3	Einzelheiten