STU11NM60ND - STMicroelectronics

Numéro d'article	STU11NM60ND
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	850pF @ 50V
Vgs (Max)	±25V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 5A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	I-Pak
Paquet / cas	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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