STU11NM60ND

STU11NM60ND - STMicroelectronics

Numéro d'article
STU11NM60ND
Fabricant
STMicroelectronics
Brève description
MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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4103 pcs
Prix ​​de référence
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STU11NM60ND Description détaillée

Numéro d'article STU11NM60ND
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 50V
Vgs (Max) ±25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 5A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur I-Pak
Paquet / cas TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Poids -
Pays d'origine -

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