| Numéro d'article | 1N5550C.TR |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Standard |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 5A |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 3A |
| La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 2µs |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 200V |
| Capacitance @ Vr, F | 92pF @ 5V, 1MHz |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | Axial |
| Package de périphérique fournisseur | Axial |
| Température de fonctionnement - Jonction | - |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
|---|---|---|---|---|
 |
1N5517 | EXSHINE | SCHOTTKY RECTIERS SILICON RECTIFIER DIODES | Détails |
 |
1N5518B | Microsemi Corporation | ZENER DIODE | Détails |
 |
1N5518B (DO35) | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 | Détails |
|
1N5518BUR-1 | Microsemi Corporation | ZENER DIODE | Détails |
|
1N5519B | Microsemi Corporation | ZENER DIODE | Détails |
|
1N5519B (DO35) | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 | Détails |
|
1N5519BUR-1 | Microsemi Corporation | ZENER DIODE | Détails |
|
1N5520B | Microsemi Corporation | ZENER DIODE | Détails |
|
1N5520B (DO35) | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 | Détails |
|
1N5520BUR-1 | Microsemi Corporation | ZENER DIODE | Détails |
