| Número de pieza | 1N5550C.TR |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 5A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 3A |
| Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 2µs |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1µA @ 200V |
| Capacitancia @ Vr, F | 92pF @ 5V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | Axial |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Axial |
| Temperatura de funcionamiento - unión | - |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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1N5517 | EXSHINE | SCHOTTKY RECTIERS SILICON RECTIFIER DIODES | Detalles |
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1N5518B | Microsemi Corporation | ZENER DIODE | Detalles |
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1N5518B (DO35) | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 | Detalles |
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1N5518BUR-1 | Microsemi Corporation | ZENER DIODE | Detalles |
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1N5519B | Microsemi Corporation | ZENER DIODE | Detalles |
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1N5519B (DO35) | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 | Detalles |
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1N5519BUR-1 | Microsemi Corporation | ZENER DIODE | Detalles |
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1N5520B | Microsemi Corporation | ZENER DIODE | Detalles |
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1N5520B (DO35) | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 | Detalles |
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1N5520BUR-1 | Microsemi Corporation | ZENER DIODE | Detalles |
