RTE002P02TL - Rohm Semiconductor

Numéro d'article	RTE002P02TL
État de la pièce	Not For New Designs
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	200mA (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 10V
Vgs (Max)	±12V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 200mA, 4.5V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	EMT3
Paquet / cas	SC-75, SOT-416
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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