RTE002P02TL - Rohm Semiconductor

Artikelnummer	RTE002P02TL
Teilstatus	Not For New Designs
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	200mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 10V
Vgs (Max)	±12V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	150mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 200mA, 4.5V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	EMT3
Paket / Fall	SC-75, SOT-416
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
RTE002P02	ROHM	RTE002P02 ROHM SOT323 New Original Stocks	Einzelheiten
RTE002P02FTL	ROHM	RTE002P02FTL ROHM SOT523 New Original Stocks	Einzelheiten
RTE002P02TL	Rohm Semiconductor	MOSFET P-CH 20V 0.2A SOT416	Einzelheiten
RTE0200G01	C&K	SWITCH ROTARY DIP SPDT 100MA 50V	Einzelheiten
RTE0200G03	C&K	SWITCH ROTARY DIP SPDT 100MA 30V	Einzelheiten
RTE0200G04	C&K	SWITCH ROTARY DIP SPDT 100MA 30V	Einzelheiten
RTE0200G05	C&K	SWITCH ROTARY DIP SPDT 100MA 50V	Einzelheiten
RTE0200N01	C&K	SWITCH ROTARY DIP SPDT 100MA 50V	Einzelheiten
RTE0200N03	C&K	SWITCH ROTARY DIP SPDT 100MA 30V	Einzelheiten
RTE0200N04	C&K	SWITCH ROTARY DIP SPDT 100MA 30V	Einzelheiten