QS8K11TCR

QS8K11TCR - Rohm Semiconductor

Numéro d'article
QS8K11TCR
Fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
4V DRIVE NCH+NCH MOSFET
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
7500 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.2375/pcs
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QS8K11TCR Description détaillée

Numéro d'article QS8K11TCR
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique -
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.3nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 10V
Puissance - Max 1.5W
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SMD, Flat Lead
Package de périphérique fournisseur TSMT8
Poids -
Pays d'origine -

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