| Numéro d'article | QS8J12TCR |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Caractéristique | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 12V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 4.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 4.5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4200pF @ 6V |
| Puissance - Max | 550mW |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 8-SMD, Flat Lead |
| Package de périphérique fournisseur | TSMT8 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
|---|---|---|---|---|
 |
QS8888-15 | Q | QS8888-15 Q DIP New Original Stocks | Détails |
|
QS8888-15P | QSI | QS8888-15P QSI DIP-22 New Original Stocks | Détails |
|
QS8A03 | IRC | QS8A03 IRC SSOP16 New Original Stocks | Détails |
|
QS8AHR032002BA | IRC | QS8AHR032002BA IRC SSOP 1.. New Original Stocks | Détails |
|
QS8F2TCR | Rohm Semiconductor | MOSFET/TRANS P-CH/PNP TSMT8 | Détails |
|
QS8J1 | ROHM | 1.5V Drive Pch+Pch MOSFET | Détails |
|
QS8J11TCR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8 | Détails |
|
QS8J12TCR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8 | Détails |
|
QS8J13TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8 | Détails |
|
QS8J1TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8 | Détails |
