| Numéro d'article | QS8J5TR |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Caractéristique | Logic Level Gate |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 10V |
| Puissance - Max | 600mW |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 8-SMD, Flat Lead |
| Package de périphérique fournisseur | TSMT8 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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QS8J1TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8 | Détails |
