QS6K1TR - Rohm Semiconductor

Numéro d'article	QS6K1TR
État de la pièce	Active
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique	Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	238 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	2.4nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	77pF @ 10V
Puissance - Max	1.25W
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package de périphérique fournisseur	TSMT6 (SC-95)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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