QS6K1TR - Rohm Semiconductor

Artikelnummer	QS6K1TR
Teilstatus	Active
FET Typ	2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft	Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	1A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	238 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	2.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	77pF @ 10V
Leistung max	1.25W
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Lieferantengerätepaket	TSMT6 (SC-95)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
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