DTD123TSTP - Rohm Semiconductor

Numéro d'article	DTD123TSTP
État de la pièce	Obsolete
Type de transistor	NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	500mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	40V
Résistance - Base (R1) (Ohms)	2.2k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms)	-
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)	500nA (ICBO)
Fréquence - Transition	200MHz
Puissance - Max	300mW
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	SC-72 Formed Leads
Package de périphérique fournisseur	SPT
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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