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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung › DTD123TSTP
DTD123TSTP

DTD123TSTP - Rohm Semiconductor

Artikelnummer
DTD123TSTP
Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DTD123TSTP PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
DTD123TSTP.pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3944 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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DTD123TSTP detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DTD123TSTP
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 40V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 2.2k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 50mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang 200MHz
Leistung max 300mW
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall SC-72 Formed Leads
Lieferantengerätepaket SPT
Gewicht -
Ursprungsland -

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