2SK3065T100

2SK3065T100 - Rohm Semiconductor

Numéro d'article
2SK3065T100
Fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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2SK3065T100.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
22500 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.2772/pcs
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2SK3065T100 Description détaillée

Numéro d'article 2SK3065T100
État de la pièce Not For New Designs
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 160pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 320 mOhm @ 1A, 4V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur MPT3
Paquet / cas TO-243AA
Poids -
Pays d'origine -

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