2SK3065T100 Descripción detallada
| Número de pieza |
2SK3065T100 |
| Estado de la pieza |
Not For New Designs |
| Tipo de FET |
N-Channel |
| Tecnología |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
2A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) |
2.5V, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
1.5V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
- |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
160pF @ 10V |
| Vgs (Max) |
±20V |
| Característica FET |
- |
| Disipación de potencia (Máx) |
500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
320 mOhm @ 1A, 4V |
| Temperatura de funcionamiento |
150°C (TJ) |
| Tipo de montaje |
Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor |
MPT3 |
| Paquete / caja |
TO-243AA |
| Peso |
- |
| País de origen |
- |
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