NP83P06PDG-E1-AY

NP83P06PDG-E1-AY - Renesas Electronics America

Numéro d'article
NP83P06PDG-E1-AY
Fabricant
Renesas Electronics America
Brève description
MOSFET P-CH 60V 83A TO-263
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
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3777 pcs
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NP83P06PDG-E1-AY Description détaillée

Numéro d'article NP83P06PDG-E1-AY
État de la pièce Obsolete
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 83A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 190nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10100pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.8W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8 mOhm @ 41.5A, 10V
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-263
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids -
Pays d'origine -

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