NP83P06PDG-E1-AY - Renesas Electronics America

Número de pieza: NP83P06PDG-E1-AY
Fabricante: Renesas Electronics America
Breve descripción: MOSFET P-CH 60V 83A TO-263
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza	NP83P06PDG-E1-AY
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	83A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	190nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	10100pF @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	1.8W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.8 mOhm @ 41.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-263
Paquete / caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	NP83P04PDG-E1-AY	Renesas Electronics America	MOSFET P-CH 40V 83A TO-263	Detalles
	NP83P06PDG-E1-AY	Renesas Electronics America	MOSFET P-CH 60V 83A TO-263	Detalles