NP180N04TUK-E1-AY - Renesas Electronics America

Numéro d'article	NP180N04TUK-E1-AY
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.05 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	297nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	15750pF @ 25V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	1.8W (Ta), 348W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-263-7
Paquet / cas	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
NP180N04TDG	NEC	NP180N04TDG NEC TO-263.. New Original Stocks	Détails
NP180N04TUG	NEC	NP180N04TUG NEC TO263-.. New Original Stocks	Détails
NP180N04TUG-E1-AY	Renesas Electronics America	MOSFET N-CH 40V 180A TO-263-7	Détails
NP180N04TUJ-E1-AY	Renesas Electronics America	MOSFET N-CH 40V 180A TO-263-7	Détails
NP180N04TUJ-E2-AY	Renesas Electronics America	TRANSISTOR	Détails
NP180N04TUK-E1-AY	Renesas Electronics America	MOSFET N-CH 40V 180A TO-263	Détails
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NP180N055TUK-E1-AY	Renesas Electronics America	MOSFET N-CH 55V 180A TO-263	Détails