NTMD6P02R2G

NTMD6P02R2G - ON Semiconductor

Numéro d'article
NTMD6P02R2G
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
NTMD6P02R2G Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
25000 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.3807/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour NTMD6P02R2G

NTMD6P02R2G Description détaillée

Numéro d'article NTMD6P02R2G
État de la pièce Active
FET Type 2 P-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 16V
Puissance - Max 750mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SOIC
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR NTMD6P02R2G