NTMD6P02R2G Description détaillée
Numéro d'article |
NTMD6P02R2G |
État de la pièce |
Active |
FET Type |
2 P-Channel (Dual) |
FET Caractéristique |
Logic Level Gate |
Drain à la tension de source (Vdss) |
20V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C |
4.8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
33 mOhm @ 6.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
1.2V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs |
35nC @ 4.5V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
1700pF @ 16V |
Puissance - Max |
750mW |
Température de fonctionnement |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage |
Surface Mount |
Paquet / cas |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package de périphérique fournisseur |
8-SOIC |
Poids |
- |
Pays d'origine |
- |
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