NTMD2P01R2G

NTMD2P01R2G - ON Semiconductor

Numéro d'article
NTMD2P01R2G
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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1 Day
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NTMD2P01R2G Description détaillée

Numéro d'article NTMD2P01R2G
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 16V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 750pF @ 16V
Puissance - Max 710mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SOIC
Poids -
Pays d'origine -

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