NTGD4169FT1G

NTGD4169FT1G - ON Semiconductor

Numéro d'article
NTGD4169FT1G
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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1 Day
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NTGD4169FT1G Description détaillée

Numéro d'article NTGD4169FT1G
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 2.6A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 295pF @ 15V
Vgs (Max) ±12V
FET Caractéristique Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (Max) 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Température de fonctionnement -25°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 6-TSOP
Paquet / cas SOT-23-6
Poids -
Pays d'origine -

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