NTGD4167CT1G

NTGD4167CT1G - ON Semiconductor

Numéro d'article
NTGD4167CT1G
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
163610 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.1598/pcs
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NTGD4167CT1G Description détaillée

Numéro d'article NTGD4167CT1G
État de la pièce Active
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 2.6A, 1.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 295pF @ 15V
Puissance - Max 900mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package de périphérique fournisseur 6-TSOP
Poids -
Pays d'origine -

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