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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés › NSVMUN5133DW1T1G
NSVMUN5133DW1T1G

NSVMUN5133DW1T1G - ON Semiconductor

Numéro d'article
NSVMUN5133DW1T1G
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
TRANS 2PNP BRT BIPO SOT363-6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
NSVMUN5133DW1T1G Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
Heure de livraison
1 Day
Code de date
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Quantité en stock
284528 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.0955/pcs
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NSVMUN5133DW1T1G Description détaillée

Numéro d'article NSVMUN5133DW1T1G
État de la pièce Active
Type de transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) 47k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition -
Puissance - Max 250mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363
Poids -
Pays d'origine -

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