NSVMUN5111DW1T3G Description détaillée
Numéro d'article |
NSVMUN5111DW1T3G |
État de la pièce |
Active |
Type de transistor |
2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) |
100mA |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) |
50V |
Résistance - Base (R1) (Ohms) |
10k |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) |
10k |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
35 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic |
250mV @ 300µA, 10mA |
Courant - Coupure du collecteur (Max) |
500nA |
Fréquence - Transition |
- |
Puissance - Max |
250mW |
Type de montage |
Surface Mount |
Paquet / cas |
6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package de périphérique fournisseur |
SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Poids |
- |
Pays d'origine |
- |
PRODUITS CONNEXES POUR NSVMUN5111DW1T3G