NGTB03N60R2DT4G - ON Semiconductor

Numéro d'article	NGTB03N60R2DT4G
État de la pièce	Active
Type d'IGBT	-
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	9A
Courant - Collecteur pulsé (Icm)	12A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 3A
Puissance - Max	49W
Échange d'énergie	50µJ (on), 27µJ (off)
Type d'entrée	Standard
Charge de porte	17nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C	27ns/59ns
Condition de test	300V, 3A, 30 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)	65ns
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package de périphérique fournisseur	DPAK
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	NGTB03N60R2DT4G	ON Semiconductor	IGBT 9A 600V DPAK	Détails
	NGTB05N60R2DT4G	ON Semiconductor	IGBT 5A 600V DPAK	Détails