NGTB03N60R2DT4G - ON Semiconductor

Número de pieza: NGTB03N60R2DT4G
Fabricante: ON Semiconductor
Breve descripción: IGBT 9A 600V DPAK
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos: NGTB03N60R2DT4G Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF: -
Categoría: Transistores - IGBT - Simple
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 75184 pcs
Precio de referencia: USD 0.3522/pcs
Nuestro precio: Enviar por correo electrónico: [email protected]

Número de pieza	NGTB03N60R2DT4G
Estado de la pieza	Active
Tipo de IGBT	-
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	600V
Current - Collector (Ic) (Max)	9A
Corriente - colector pulsado (Icm)	12A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 3A
Potencia - Max	49W
Conmutación de energía	50µJ (on), 27µJ (off)
Tipo de entrada	Standard
Cargo de puerta	17nC
Td (encendido / apagado) a 25 ° C	27ns/59ns
Condición de prueba	300V, 3A, 30 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inversa (trr)	65ns
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor	DPAK
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	NGTB03N60R2DT4G	ON Semiconductor	IGBT 9A 600V DPAK	Detalles
	NGTB05N60R2DT4G	ON Semiconductor	IGBT 5A 600V DPAK	Detalles