FQD9N25TM-F085 - ON Semiconductor

Numéro d'article	FQD9N25TM-F085
État de la pièce	Not For New Designs
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	250V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	7.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	420 mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 25V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	2.5W (Ta), 55W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	D-Pak
Paquet / cas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
FQD9N08	FAIRC	FQD9N08 FAIRC TO-252.. New Original Stocks	Détails
FQD9N08TM	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 80V 7.4A DPAK	Détails
FQD9N25	FAIRC	FQD9N25 FAIRC TO-252.. New Original Stocks	Détails
FQD9N25TF	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK	Détails
FQD9N25TM	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK	Détails
FQD9N25TM-F080	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK	Détails
FQD9N25TM-F085	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK	Détails
FQD9N25TM_F080	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK	Détails
FQD9N25TM_F085	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK	Détails