FDD9511L-F085 - ON Semiconductor

Numéro d'article	FDD9511L-F085
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Vgs (Max)	±16V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1200pF @ 20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	48.4W (Tj)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	D-PAK (TO-252)
Paquet / cas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
FDD9507L-F085	ON Semiconductor	PMOS DPAK 40V 4.4 MOHM	Détails
FDD9509L-F085	ON Semiconductor	PT8P 40V LL DPAK	Détails
FDD9510L-F085	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 35V 13A DPAK	Détails
FDD9511L-F085	ON Semiconductor	PT8P 40V LL DPAK	Détails