FDD9511L-F085 - ON Semiconductor

Artikelnummer	FDD9511L-F085
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	21 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Vgs (Max)	±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1200pF @ 20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	48.4W (Tj)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	D-PAK (TO-252)
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
FDD9507L-F085	ON Semiconductor	PMOS DPAK 40V 4.4 MOHM	Einzelheiten
FDD9509L-F085	ON Semiconductor	PT8P 40V LL DPAK	Einzelheiten
FDD9510L-F085	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 35V 13A DPAK	Einzelheiten
FDD9511L-F085	ON Semiconductor	PT8P 40V LL DPAK	Einzelheiten