FDD6637-F085 - ON Semiconductor

Numéro d'article	FDD6637-F085
État de la pièce	Obsolete
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	35V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.6 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	63nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2370pF @ 20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	68W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	D-PAK (TO-252)
Paquet / cas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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