FDD6512A

FDD6512A - Fairchild/ON Semiconductor

Numéro d'article
FDD6512A
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
Brève description
MOSFET N-CH 20V 10.7A D-PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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1 Day
Code de date
New
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4148 pcs
Prix ​​de référence
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FDD6512A Description détaillée

Numéro d'article FDD6512A
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 10.7A (Ta), 36A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1082pF @ 10V
Vgs (Max) ±12V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 3.8W (Ta), 43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 mOhm @ 10.7A, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur D-PAK (TO-252AA)
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids -
Pays d'origine -

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