| Numéro d'article | EFC6612R-TF |
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| État de la pièce | Not For New Designs |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET Caractéristique | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Drain à la tension de source (Vdss) | - |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 4.5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Puissance - Max | 2.5W |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 6-SMD, No Lead |
| Package de périphérique fournisseur | 6-CSP (1.77x3.54) |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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EFC6601R-A-TR | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH EFCP | Détails |
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