EFC6612R-TF

EFC6612R-TF - ON Semiconductor

Artikelnummer
EFC6612R-TF
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
70161 pcs
Referenzpreis
USD 0.3658/pcs
Unser Preis
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EFC6612R-TF detaillierte Beschreibung

Artikelnummer EFC6612R-TF
Teilstatus Not For New Designs
FET Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Eigenschaft Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain auf Source-Spannung (Vdss) -
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Leistung max 2.5W
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-SMD, No Lead
Lieferantengerätepaket 6-CSP (1.77x3.54)
Gewicht -
Ursprungsland -

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