2N7002ET7G

2N7002ET7G - ON Semiconductor

Numéro d'article
2N7002ET7G
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
NFET SOT23 60V 115MA 7MO
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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6035572 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.02728/pcs
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2N7002ET7G Description détaillée

Numéro d'article 2N7002ET7G
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 260mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 Ohm @ 240mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.81nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 40pF @ 25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 300mW (Tj)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Paquet / cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids -
Pays d'origine -

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