F20J35K - Ohmite

Numéro d'article	F20J35K
État de la pièce	Active
La résistance	35 kOhms
Tolérance	±5%
Puissance (Watts)	20W
Composition	Wirewound
Coéfficent de température	±260ppm/°C
Température de fonctionnement	-55°C ~ 350°C
Caractéristiques	-
Revêtement, Type de logement	Vitreous Enamel Coated
Caractéristique de montage	Flange Braces, Right Angle
Taille / Dimension	0.750" L x 0.375" W (19.05mm x 9.53mm)
Hauteur - Assis (Max)	0.375" (9.53mm)
Style de fil	Solder Lugs
Paquet / cas	Radial, Flat Oval
Taux d'échec	-
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
F20	Semtech Corporation	DIODE GEN PURP 2KV 350MA AXIAL	Détails
F20-100GCP	EON	F20-100GCP EON SOP New Original Stocks	Détails
F20.0520.440	ARC	F20.0520.440 ARC CON New Original Stocks	Détails
F2000D	OSRAM	InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode (617nm, High Current and Flux), InGaAlP High Brightness LED (617nm, High Current and Flux)	Détails
F2000ERW	MPD	Low Cost, Compact 20W, 2:1 Input Range DC/DC Converters	Détails
F2001	POLYFET	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR	Détails
F2001ERW	MPD	Low Cost, Compact 20W, 2:1 Input Range DC/DC Converters	Détails
F2002	POLYFET	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR	Détails
F2002ERW	MPD	Low Cost, Compact 20W, 2:1 Input Range DC/DC Converters	Détails
F2003	POLYFET	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR	Détails