PMGD175XN,115

PMGD175XN,115 - NXP USA Inc.

Numéro d'article
PMGD175XN,115
Fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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1 Day
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PMGD175XN,115 Description détaillée

Numéro d'article PMGD175XN,115
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 900mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 225 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.1nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 75pF @ 15V
Puissance - Max 390mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur 6-TSSOP
Poids -
Pays d'origine -

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