PMGD175XN,115 - NXP USA Inc.

Número de pieza: PMGD175XN,115
Fabricante: NXP USA Inc.
Breve descripción: MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza	PMGD175XN,115
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	900mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	225 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	1.1nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	75pF @ 15V
Potencia - Max	390mW
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedor	6-TSSOP
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
PMGD130UN,115	NXP USA Inc.	MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP	Detalles
PMGD175XN,115	NXP USA Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP	Detalles
PMGD175XNEAX	Nexperia USA Inc.	MOSFET ARRAY 2N-CH 30V SOT363	Detalles
PMGD175XNEX	Nexperia USA Inc.	MOSFET ARRAY 2NCH 30V 6-TSSOP	Detalles