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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés › PDTC115TS,126
PDTC115TS,126

PDTC115TS,126 - NXP USA Inc.

Numéro d'article
PDTC115TS,126
Fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
PDTC115TS,126 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
PDTC115TS,126.pdf
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3956 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
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PDTC115TS,126 Description détaillée

Numéro d'article PDTC115TS,126
État de la pièce Obsolete
Type de transistor NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 100k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) -
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 1µA
Fréquence - Transition -
Puissance - Max 500mW
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Package de périphérique fournisseur TO-92-3
Poids -
Pays d'origine -

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