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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés › PDTC114EK,115
PDTC114EK,115

PDTC114EK,115 - NXP USA Inc.

Numéro d'article
PDTC114EK,115
Fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
PDTC114EK,115 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
PDTC114EK,115.pdf
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4281 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
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PDTC114EK,115 Description détaillée

Numéro d'article PDTC114EK,115
État de la pièce Obsolete
Type de transistor NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 10k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) 10k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 1µA
Fréquence - Transition -
Puissance - Max 250mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package de périphérique fournisseur SMT3; MPAK
Poids -
Pays d'origine -

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