PBRN123EK,115

PBRN123EK,115 - NXP USA Inc.

Numéro d'article
PBRN123EK,115
Fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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4174 pcs
Prix ​​de référence
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PBRN123EK,115 Description détaillée

Numéro d'article PBRN123EK,115
État de la pièce Obsolete
Type de transistor NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 600mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 40V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) 2.2k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 280 @ 300mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.15V @ 8mA, 800mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition -
Puissance - Max 250mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package de périphérique fournisseur SMT3; MPAK
Poids -
Pays d'origine -

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