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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - RF › BFU730LXZ
BFU730LXZ

BFU730LXZ - NXP USA Inc.

Numéro d'article
BFU730LXZ
Fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
TRANS RF NPN 3V 30MA XQFN3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
BFU730LXZ Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
186501 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.1439/pcs
Notre prix
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BFU730LXZ Description détaillée

Numéro d'article BFU730LXZ
État de la pièce Active
Type de transistor NPN
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 3V
Fréquence - Transition 53GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f) 0.75dB @ 6GHz
Gain 15.8dB
Puissance - Max 160mW
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 205 @ 2mA, 3V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 30mA
Température de fonctionnement -
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 3-XFDFN
Package de périphérique fournisseur 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Poids -
Pays d'origine -

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